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UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 58.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-UF3N120007K4S

N° de fab. :

UF3N120007K4S

Fab. :

onsemi

Description :

JFET UF3N120007K4S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

UF3N120007K4S Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 30 V to 30 V
Courant drain/source à Vgs=0:	20 uA
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.1 mOhms
Pd - Dissipation d’énergie :	789 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	UF3N
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

UF3N120007K4S Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4S 1 200 V de onsemi est un transistor JFET SiC de 3e génération à haute performance, de 1 200 V et 7,1 mΩ, normalement ouvert. Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [R_DS(ON)] dans un boîtier TO247-4, ce qui le rend idéal pour répondre aux contraintes thermiques importantes des disjoncteurs à semi-conducteurs et des applications de relais. Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4SJFET de onsemi est une technologie robuste capable d'assurer la commutation à haute énergie requise dans les applications de protection de circuit.