UF3N120007K4S

onsemi
772-UF3N120007K4S
UF3N120007K4S

Fab. :

Description :
JFET UF3N120007K4S

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onsemi
Catégorie du produit: JFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 30 V to 30 V
20 uA
120 A
7.1 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UF3N
Tube
Marque: onsemi
Type de produit: JFETs
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4S 1 200 V de onsemi est un transistor JFET SiC de 3e génération à haute performance, de 1 200 V et 7,1 mΩ, normalement ouvert. Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [RDS(ON)] dans un boîtier TO247-4, ce qui le rend idéal pour répondre aux contraintes thermiques importantes des disjoncteurs à semi-conducteurs et des applications de relais. Le transistor JFET canal N EliteSic UF3N120007K4SJFET de onsemi est une technologie robuste capable d'assurer la commutation à haute énergie requise dans les applications de protection de circuit.