onsemi MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTHL060N065SC1
Un MOSFET onsemi NTHL060N065SC1 au carbure de silicium (SiC) présente des performances supérieures de commutation et une plus grande fiabilité. Le MOSFET a une faible résistance à l'état passant et sa taille compacte de puce garantit une capacité et une charge de grille faibles. Le système bénéficie donc d'un rendement plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction d'EMI et d'une économie de taille.
Caractéristiques
- Standard RDS(on) = 44 m à VGS = 18 V
- Standard RDS(on) = 60 m à VGS = 15 V
- Charge de grille ultra-faible (QG(tot) = 74 nNC)
- Faible capacité de sortie (Coss = 133 pF)
- Testés à 100 % en mode avalanche
- TJ = 175 °C
- Ce composant est sans halogénure et conforme à la directive RoHS avec exemption 7 A, 2LI sans plomb (sur interconnexion de deuxième niveau)
Applications
- SMPS (alimentations à découpage)
- Convertisseurs solaires
- ASI (alimentations sans interruption)
- Stockages d'énergie
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Publié le: 2022-05-09
| Mis à jour le: 2023-07-27