onsemi MOSFET EliteSiC M2
Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible RDS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.
Caractéristiques
- Tensions 650 V, 750 V et 1 200 V
- Boîtiers D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, TO-247-4LD
- Tension grille-source maximale de +22 V/-8 V
- Faible RDS(on) et temps de tenue aux courts-circuits élevé (SCWT)
- Optimisés afin d'offrir un RDS(on) le plus faible possible pour les applications à faible vitesse de commutation
- Peut être utilisé pour remplacer SuperFET™
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En savoir plus sur EliteSiC
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