Infineon Technologies MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à signal faible d'Infineon Technologies sont des dispositifs à canal N et P offrant une excellente robustesse et un rapport prix/performance exceptionnel. Ces MOSFET simplifient la complexité de conception pour diverses applications sur le marché de l'industrie grand public. Les MOSFET de puissance à petit signal sont disponibles en version logique et en version normale avec capacité d'entraînement de grille de niveau et présentent une large gamme d'options de résistance à l'état passant (R_DS(on)). Ces transistors MOSFET sont testés selon le standard industriel JEDEC et sont classés avalanche. Les MOSFET de puissance à signal faible disposent de tensions de claquage de 60 V à 600 V, d'une flexibilité de conception et d'une flexibilité de commande de grille. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et ne contiennent pas d’halogène. Les applications typiques sont notamment les lave-linge, les ventilateurs de plafond, les aspirateurs, les SMPS, l’automatisation et le secteur médical.