Transistors MOSFET de puissance à canal P 12 V-250 V

Les MOSFET de puissance à canal P 12 V-250 V d'Infineon offrent au concepteur une nouvelle option qui peut simplifier le circuit tout en optimisant les performances. Le principal avantage d'un dispositif à canal P est une conception moins complexe dans les applications à faible et moyenne puissance. Les MOSFET de puissance à canal P sont idéalement conçus pour la protection de la batterie, la protection contre les inversions de polarité, les chargeurs de batterie linéaires, la commutation de charge, les convertisseurs CC-CC et les applications à faible tension.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 32.950En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET P-CHANNEL (NEGATIVE) 12.618En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.44 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4.616En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2.983En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5.400En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.241En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 25.486En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.417En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.462En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 9.028En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.643En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 337En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET P-Channel 812En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2.202En stock
1.00006/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 5.821En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 807En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 974En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 3.935En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 792En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2.041En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1.769En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.606En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 3.9 A 160 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 8.052En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1.145En stock
3.00006/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel