MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à signal faible d'Infineon Technologies sont des dispositifs à canal N et P offrant une excellente robustesse et un rapport prix/performance exceptionnel. Ces MOSFET simplifient la complexité de conception pour diverses applications sur le marché de l'industrie grand public. Les MOSFET de puissance à petit signal sont disponibles en version logique et en version normale avec capacité d'entraînement de grille de niveau et présentent une large gamme d'options de résistance à l'état passant (RDS(on)). Ces transistors MOSFET sont testés selon le standard industriel JEDEC et sont classés avalanche. Les MOSFET de puissance à signal faible disposent de tensions de claquage de 60 V à 600 V, d'une flexibilité de conception et d'une flexibilité de commande de grille. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS et ne contiennent pas d’halogène. Les applications typiques sont notamment les lave-linge, les ventilateurs de plafond, les aspirateurs, les SMPS, l’automatisation et le secteur médical.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 25.486En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.417En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2.462En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 9.028En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small-Signal Power-Transistor 2.457En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape