MOSFET de puissance 40 V optimisés OptiMOS™ 7

Les MOSFET de puissance à canal N 40 V OptiMOS™ 7 optimisés d’Infineon Technologies sont des pilotes de moteur optimisés qui offrent des solutions sur mesure pour une conversion d'énergie efficace dans les moteurs, les outils électriques et les outils de jardinage. Le portefeuille 40 V d'Infineon offre des nœuds de tension supplémentaires et une faible résistance à l'état passant [RDS(on)] avec des options de boîtier standard, notamment PG-TDSON (PQFN 5 mm x 6 mm), PG-TSDSON (PQFN 3,3 mm x 3,3 mm) et PG-WSON-8 (PQFN 5 mm x 6 mm, refroidi des deux côtés). Les applications cibles incluent le contrôle de moteur, les systèmes de gestion de batterie (BMS), les aspirateurs sans fil, les outils de jardinage et les outils électriques.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. 1.071En stock
8.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 443 A 520 uOhms 20 V 3.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package 2.604En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 339 A 650 uOhms 20 V 3.2 V 81 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power MOSFET in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package. 2.779En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 4.000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 289 A 820 uOhms 20 V 3.2 V 65 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.636En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 256 A 1.05 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.125En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 458 A 500 uOhms 20 V 3.15 V 117 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 3.447En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 357 A 650 uOhms 20 V 3.15 V 85 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.063En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 284 A 900 uOhms 20 V 3.15 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 4.289En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 177 A 1.4 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 957En stock
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 1.49 mOhms 20 V 3.15 V 37 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V 31En stock
10.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 219 A 1.15 mOhms 20 V 3.15 V 45 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape