MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N

Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOMoss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Fiche technique
827En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
651En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
5.391En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
132En stock
5.00006/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3.593En stock
12.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4.730En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4.478En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4.453En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3.980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
4.716En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Fiche technique
3.975En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Fiche technique
5.359En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape