Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Les MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2 d’Infineon Technologies sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications des véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC/CC haute tension. Ces MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une efficacité, une densité de puissance et des performances thermiques exceptionnelles, permettant ainsi la mise au point de systèmes de mobilité électrique de nouvelle génération. Avec une tension nominale de 750 V et la technologie CoolSiC™ de deuxième génération, ces dispositifs offrent un comportement de commutation amélioré et des pertes réduites par rapport aux solutions traditionnelles en silicium. Le portefeuille comprend une plage de valeurs RDS(on) de 9 mΩ à 78 mΩ, offrant aux concepteurs la flexibilité nécessaire pour optimiser les performances de conduction et de commutation.
Disponibles dans des boîtiers robustes Q‑DPAK et PG‑TO263‑7 homologués pour l’automobile, ces MOSFET sont homologués AEC-Q101 et prennent en un fonctionnement jusqu’à une température de +175 °C. La capacité de commutation rapide, la faible récupération inverse et la résistance aux courts-circuits garantissent une efficacité et une fiabilité élevées dans les environnements automobiles difficiles. En réduisant les besoins en refroidissement et en permettant des conceptions de systèmes compactes, les MOSFET CoolSiC™ contribuent à augmenter la plage de conduite et prennent en charge des solutions évolutives pour différents niveaux de puissance dans les systèmes de traction et auxiliaires.
Caractéristiques
- Technologie 750 V extrêmement robuste, 100 % testée en mode avalanche
- RDS(on) x Qfr supérieures
- Excellentes RDS(on) x Qoss et RDS(on) x QG
- Combinaison unique de faible Crss/Ciss et VGS(th)élevée
- Technologie d’assemblage de puce propriétaire d’Infineon
- Boîtier TSC avec groupe de matériau I
- Broche source du pilote disponible
- Robustesse et fiabilité améliorées pour les tensions de bus supérieures à 500 V
- Dispositifs en mode d’amélioration à monocanal N
- Efficacité supérieure en commutation dure
- Fréquence de commutation élevée dans les topologies à commutation douce
- Robustesse contre l’activation parasite pour la commande de grille unipolaire
- Excellente dissipation thermique
- Réduction des pertes de commutation grâce à un meilleur contrôle de la grille
- Homologué AEC‑Q101
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Chargeurs uni‑ et bidirectionnel embarqués et convertisseurs HV‑LV CC-CC (topologies de demi-ponts à commutation dure et commutation douce)
- Disjoncteurs (commutateurs de déconnexion de la batterie haute tension, commutateurs CC et AC basse fréquence et fusibles E-HT)
- Moteurs auxiliaires
Caractéristiques techniques
- Tension de rupture drain-source de 750 V
- Plage de résistance drain-source à la fermeture de 9 mΩ à 78 mΩ
- Tension de seuil grille-source de 5,6 V
- - Tension grille-source -7 V/+23 V
- Plage de courant de drain continu de 29 A à 198 A
- Plage de charge de grille de 20 nC à 169 nC
- Plage de dissipation d’énergie de 116 W à 651 W
- Plage minimale de transconductance directe de 8,3 S à 78 S
- Plage delai de passage à la fermeture typique de 7 ns à 17 ns
- Plage de temps de montée de 5 ns à 18 ns
- Plage délai de passage à l’ouverture typique de 15 ns à 39 ns
- Plage de temps de descente de 5 ns à 10 ns
- Boîtiers Q‑DPAK ou PG‑TO263‑7 pour montage en surface
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C
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