Infineon Technologies MOSFET en carbure de silicium G2 de 750 V CooSiC™

Les MOSFET en carbure de silicium CoolSic™ 750 V G2 d’Infineon Technologies sont conçus pour offrir une haute efficacité, une robustesse contre les activations par des signaux parasites pour la fiabilité et le pilotage unipolaire des grilles. Ces MOSFET offrent des performances supérieures  dans Totem Pole, ANPC, redresseur de Vienne et les topologies FCC à commutation dure. La réduction de la capacité de sortie (Coss) permet aux MOSFET de fonctionner à des fréquences de commutation plus élevées dans les topologies de commutation douce Cycloconverter, CLLC, DAB et LLC. Les MOSFET CoolSiC™ 750 V G2 se caractérisent par une résistance drain-source maximale de 78 mΩ et de faibles pertes de commutation grâce à un contrôle de grille amélioré. Ces MOSFET sont homologués pour les applications automobiles et industrielles. Les applications courantes incluent l’infrastructure de recharge des véhicules électriques, les télécommunications, les disjoncteurs, les relais à semi-conducteurs, les onduleurs photovoltaïques solaires et les convertisseurs CC-CC HV-LV.