Infineon Technologies MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750V G1
Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 750 V G1 d’Infineon Technologies aident les fabricants de véhicules électriques à concevoir des chargeurs embarqués bidirectionnels de11 kW et 22 kW avec une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité accrues. Ces dispositifs fonctionnent de manière fiable à des températures élevées (Tj,max +175 °C), grâce à la technologie d’assemblage de puce propriétaire d’Infineon. La technologie d’assemblage de puce XT d’Infineon offre la meilleure impédance thermique de sa catégorie pour une taille de puce équivalente.
La technologie CoolSiC 750 V G1 offre une robustesse très élevée, notamment contre le rayonnement cosmique, ce qui la rend parfaite pour les tensions de bus > à 500 V. Grâce à une excellente immunité contre les allumages parasites, ces dispositifs peuvent être actionnés en toute sécurité avec une tension VGSde zéro volt hors champ (pilote de grille unipolaire), ce qui réduit la complexité du système, minimise l’espace sur la carte PCB et le nombre de composants de la nomenclature (BOM). Une tension nominale large entre la grille et la source (-5 V à 23 V, VGSstatique) garantit la compatibilité avec la commande bipolaire pour une flexibilité de conception accrue.
Cette famille de MOSFET G1 CoolSiC™ automobile de 750 V dispose d’un portefeuille très granulaire avec un RDS(on) (à +25 °C standard) de 8 mΩ à 140 mΩ et est disponible dans un boîtier D2PAK à 7 broches et boîtier D2PAK refroidi par le haut (TSC). Le boîtier QDPAK TSC, conçu par JEDEC, aide à maximiser l’utilisation de l’espace sur la carte PCB, en doublant la densité de puissance et en améliorant la gestion thermique grâce au découplage thermique du substrat. Les boîtiers refroidis côté haut réduisent considérablement les efforts de conception de l’infrastructure de refroidissement et sont essentiels pour permettre les densités de puissance les plus élevées.
Caractéristiques
- Technologie 750 V hautement robuste
- Meilleur RDS(on)x Qfr de sa catégorie pour un rendement supérieur dans les demi-ponts à commutation dure
- D’excellents chiffres pour le RDS(on) × Qosset RDS(on) × Qgpermettent des fréquences de commutation plus élevées
- Faible Crss/Ciss ensemble et Vgsthélevé
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Technologie de fixation de matrice Infineon
- Boîtier refroidi côté haut à la pointe de la technologie
- Fiabilité accrue
- Supporte des tensions de bus au-delà de 500 V
- Résistant aux tours parasites
- Pilote unipolaire
- Meilleure dissipation thermique de sa catégorie
- Conforme RoHS
Applications
- Chargeurs embarqués automobiles
- Convertisseurs CC-CC HV-LV automobiles
- Commutateurs statiques automobiles (eFuses, BMS)
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