Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ 650 V
Les MOSFET CoolSiC ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.
Produits présentés
La large offre de CI pilotes de grille d’Infineon complète l’offre SiC discrète, fournissant la solution idéale pour la commutation MOSFET SiC ultra-rapide. En utilisant ensemble des MOSFET CoolSiC et des CI pilotes de grille EiceDRIVER™, la technologie SiC peut améliorer l'efficacité, économiser de l'espace et du poids, réduire le nombre de composants et améliorer la fiabilité du système.
Portefeuille de CI pilotes de grille pour MOSFET CoolSiC 650 V avec des niveaux UVLO personnalisés pour protéger le MOSFET SiC
Les MOSFET CoolSiC™ 650 V d’Infineon Technologies sont disponibles en boîtiers TO-247 à 3 broches, TO-247 à 4 broches et D2PAK à 7 broches.
Bénéficiez de.La technologie d'interconnexion XT est utilisée dans les boîtiers discrets de MOSFET CoolSiC™ pour une densité de puissance du système améliorée. Le procédé de soudage par diffusion d'Infineon crée une solide connexion thermique entre la puce et le dissipateur, ce qui entraîne une dissipation thermique jusqu'à 30 % plus élevée et des températures de fonctionnement jusqu'à 15 K plus basses, avec pour effet positif une durée de vie prolongée.
Caractéristiques
- Diode de carrosserie rapide et robuste à commutation avec faible charge de récupération inverse (Qrr)
- Comportement de commutation optimisé aux courants plus élevés
- Faibles capacités
- Technologie de tranchée de pointe avec une fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
- .Technologie d'interconnexion XT pour la meilleure performance thermique de sa catégorie
- Capacité d'avalanche améliorée
- Fonctionne avec les pilotes standard
- Comportement de commutation optimisé aux courants plus élevés
- Performances, fiabilité et facilité d'utilisation élevées
- Permet un rendement et une densité de puissance élevés du système
- Réduit le coût et la complexité du système
- Permet des systèmes moins chers, plus simples et plus petits
- Fonctionne en topologies à commutation dure continue
- Adapté aux températures élevées et aux conditions difficiles
- Permet des topologies bidirectionnelles
Applications
- Serveur
- Télécommunications
- SMPS
- Systèmes d'énergie solaire
- Stockage de l’énergie
- Production de batterie
- ASI
- Charge de véhicules électriques
- Commandes de moteurs
Schéma fonctionnel
Ressources
Outils de développement
Infineon Technologies Conception de référence PSU de centre de données et serveur 3 kW 50 V
Conception de référence d'alimentation complète ciblant les spécifications du redresseur V3 de calcul ouvert.
Infineon Technologies PSU à haute densité de puissance REF_3K3W_HFHD_PSU
PSU 3,3 kW, 95 W/po³ et 500 kHz qui cible les caractéristiques techniques des applications de serveurs et de centres de données.
Infineon Technologies Carte d'évaluation EVAL1EDSICPFC5KWTOBO1
Solution haute efficacité conçue pour les applications de correction du facteur de puissance (PFC).
MOSFET associés
Infineon Technologies MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2
Tirez parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ 2000 V
MOSFET à tranchée dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC avec tension de seuil de grille de référence de 4,5 V.