MOSFET au carbure de silicium CoolSiC™ 650 V G2

Les MOSFET CoolSiC™ G2 de 650 V au carbure de silicium d'Infineon Technologies tirent parti des capacités de performance du carbure de silicium en permettant une perte d'énergie inférieure, ce qui se traduit par une efficacité supérieure lors de la conversion d'énergie.Les MOSFET CoolSiC 650 V G2 d'Infineon offrent des avantages pour diverses applications de semiconducteur d'alimentation comme le photovoltaïque, le stockage d'énergie, le chargement de VE CC, les entraînements à moteur et les alimentations électriques industrielles. Une station de chargement rapide CC pour véhicules électriques équipée du CoolSiC G2 permet de réduire les pertes d'énergie de 10 % par rapport aux générations précédentes tout en permettant une capacité de chargement plus élevée sans compromettre les facteurs de forme.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.165En stock
1.500Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
731En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
725En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
737En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
Fiche technique
155En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
Fiche technique
145En stock
2.00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
86En stock
24009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
218En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
2.073En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.914En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.992En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
5.088En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.845En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.853En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.756En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.569En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Fiche technique
282En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
511En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Fiche technique
258En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1.178En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 210 A 8.5 mOhms - 18 V, + 18 V 5.6 V 439 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
364En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
980En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
285En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Fiche technique
456En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC