MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 1200 V G1

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobiles 1200V G1 Infineon Technologies offrent une densité de puissance accrue, un rendement supérieur et une fiabilité améliorée. Le portefeuille granulaire comprend des MOSFET SiC 1 200 V en boîtiers TO-247 3 broches, TO-247 4 broches et D2PAK 7 broches avec une R_DS(on) allant de 8,7 mΩ à 160 mΩ et un ID à +25 °C, d'au maximum 17 A à 205 A. Une densité de puissance élevée, un rendement supérieur, des capacités de charge bidirectionnelles et des réductions significatives des coûts du système font des modules MOSFET CoolSiC™ automobiles 1200V Infineon Technologies un choix idéal pour les applications de chargeur embarqué et CC-CC. Les composants TO et CMS sont également fournis avec des broches de source Kelvin pour des performances de commutation optimisées.