Infineon Technologies MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobile 1200 V G1
Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ automobiles 1200V G1 Infineon Technologies offrent une densité de puissance accrue, un rendement supérieur et une fiabilité améliorée. Le portefeuille granulaire comprend des MOSFET SiC 1 200 V en boîtiers TO-247 3 broches, TO-247 4 broches et D2PAK 7 broches avec une RDS(on) allant de 8,7 mΩ à 160 mΩ et un ID à +25 °C, d'au maximum 17 A à 205 A. Une densité de puissance élevée, un rendement supérieur, des capacités de charge bidirectionnelles et des réductions significatives des coûts du système font des modules MOSFET CoolSiC™ automobiles 1200V Infineon Technologies un choix idéal pour les applications de chargeur embarqué et CC-CC. Les composants TO et CMS sont également fournis avec des broches de source Kelvin pour des performances de commutation optimisées.
Caractéristiques
- Matériau révolutionnaire au carbure de silicium
- Très faibles pertes de commutation
- Tension d’allumage accrue VGS(on) de 20 V
- Tension de pilotage compatible IGBT
- tension de grille d’arrêt 0V
- Tension de seuil de grille de référence de VGS(the) = 4,5 V
- Meilleure énergie de commutation de sa catégorie
- Faibles capacités du dispositif
- Caractéristique à l’état passant sans seuil
- Pertes de commutation d'arrêt indépendantes de la température
- .Technologie de fixation de matrice XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
- Rapport dV/dt entièrement contrôlable
- Broche de détection pour des performances de commutation optimisées
- Adapté aux exigences de ligne de fuite HT
- Fils minces pour un risque réduit de ponts de brasage
- Diode de corps de commutation robuste, prête pour un redressement synchrone
- Plage de température de fonctionnement de -55°C à +175°C
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Chargeurs embarqués et PFC
- Amplificateurs et convertisseur CC/CC
- Onduleurs auxiliaires
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Publié le: 2024-01-09
| Mis à jour le: 2024-02-06