IXYS SiC MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
100En stock
45002/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
Fiche technique
78En stock
80002/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement

IXYS SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Fiche technique
4.196En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS SiC MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Fiche technique
548En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Fiche technique
1.927En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
2.090En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC
Fiche technique
431En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 50 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 175 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
900En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
900En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L
Fiche technique
900En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
550En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
550En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
Fiche technique
550En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Fiche technique
402En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 52 nC - 40 C + 150 C 75.3 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Fiche technique
478En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 45 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 142 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
Fiche technique
483En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 22.5 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 154 nC - 40 C + 150 C 266 W Enhancement
IXYS IXFN27N120SK
IXYS SiC MOSFET SiCarbide-Discrete MOSFET SOT-227B(mini
Fiche technique
14En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT HiPerFET
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263
Fiche technique
76En stock
80016/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
76En stock
2.00016/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL
Fiche technique
80En stock
2.00016/02/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TTOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV
Fiche technique
100En stock
45023/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Fiche technique
795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Fiche technique
760En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
408En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Fiche technique
392En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement