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IXSJ43N120R1

Name: IXYS IXSJ43N120R1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSJ43N120R1
Price: 16.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSJ43N120R1

N° de fab. :

IXSJ43N120R1

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSJ43N120R1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	16,04 €	16,04 €
	12,84 €	128,40 €
	11,10 €	1.332,00 €
5.010	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	45 A
Rds On - Résistance drain-source:	47 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	79 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	142 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	Power MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) 1 200 V IXSJxN120R1 de Littelfuse sont des dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes. Les MOSFET IXSJxN120R1 de Littelfuse tirent parti des propriétés supérieures de la technologie SiC pour offrir de faibles pertes de commutation, une haute efficacité et une excellente performance thermique. Le IXSJ25N120R1 offre un R_DS(on) standard de 80 mΩ et est optimisé pour des applications à faible courant, tandis que les IXSJ43N120R1 et IXSJ80N120R1 offrent des valeurs de résistance à l'état passant plus faibles, respectivement de 45 mΩ et 20 mΩ, prenant en charge des capacités de gestion de courant plus élevées. Les trois dispositifs se caractérisent par des vitesses de commutation rapides, une capacité d'avalanche robuste et une broche source Kelvin pour un contrôle amélioré de la commande de grille. Ces caractéristiques rendent la série IXSJxN120R1 idéale pour une utilisation dans les convertisseurs de véhicules électriques, les convertisseurs solaires, les entraînements à moteur industriels et les alimentations électriques à haute efficacité.