MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 100V
Fiche technique
987En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V
Fiche technique
3.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
Fiche technique
1.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Nexperia MOSFET NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70
Fiche technique
8.968En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 200V
Fiche technique
2.844En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
Fiche technique
2.981En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-251-3
Nexperia MOSFET PXP062-60QL/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
771En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 60 V 20 A 62 mOhms 20 V 2.7 V 19 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 200V
Fiche technique
881En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
Fiche technique
995En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
Fiche technique
1.920En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Fiche technique
411En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Fiche technique
630En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
Fiche technique
836En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
419En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms 30 V 5 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Fiche technique
210En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
355En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 52 mOhms 20 V 5 V 141 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Fiche technique
1.721En stock
Min. : 1
Mult. : 1

onsemi MOSFET T6 40V NCH LL IN S08FL
Fiche technique
1.193En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
Fiche technique
772En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Fiche technique
2.100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape