MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

Les MOSFET à canal N en silicium TPH1400CQ5 de Toshiba sont dotés d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H. Ces MOSFET affichent des caractéristiques de récupération inverse améliorées, notamment un temps de récupération inverse rapide de 36 ns et une charge de récupération inverse standard de 27 nC. La série TPH1400CQ5 réduit la perte de puissance dans les alimentations à découpage, ce qui augmente le rendement dans les applications de redressement synchrone. Les MOSFET à canal N en silicium TPH1400CQ5 de Toshiba bénéficient d'une faible résistance drain-source à l’état passant et d'un faible courant de fuite nominal, ce qui les rend idéaux pour diverses applications de puissance et industrielles. Parmi les applications standard, citons les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension de commutation, les commandes de moteur, les centres de données et les systèmes de base de communication.