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TPH1100CQ5,LQ

Name: Toshiba TPH1100CQ5,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH1100CQ5LQ
Price: 2.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TPH1100CQ5LQ

N° de fab. :

TPH1100CQ5,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm

Cycle de vie:

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Fiche technique:

TPH1100CQ5,LQ Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	90 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	38 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Dual
Temps de descente:	14 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	33 ns

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Fiche technique

TPH1100CQ5,LQ Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N au silicium TPH1100CQ5

Les MOSFET à canal N en silicium TPH1100CQ5 de Toshiba disposent d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu selon un procédé de tranchée de génération U-MOSX-H. Les MOSFET offrent des caractéristiques de récupération inverse améliorées, notamment un temps de récupération inverse 36 ns rapide et une charge de récupération inverse standard de 27 nC. La série TPH1100CQ5 réduit la perte de puissance dans les alimentations à découpage, ce qui augmente le rendement dans les applications de redressement synchrone. Les MOSFET à canal N en silicium TPH1100CQ5 de Toshiba offrent une faible résistance drain-source à l’état passant et un faible courant de fuite nominal, ce qui les rend idéaux pour diverses applications de puissance et industrielles. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension de commutation, les pilotes de moteur, les centres de données et les systèmes de base de communication.

MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

Les MOSFET à canal N en silicium TPH1400CQ5 de Toshiba sont dotés d’un MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H. Ces MOSFET affichent des caractéristiques de récupération inverse améliorées, notamment un temps de récupération inverse rapide de 36 ns et une charge de récupération inverse standard de 27 nC. La série TPH1400CQ5 réduit la perte de puissance dans les alimentations à découpage, ce qui augmente le rendement dans les applications de redressement synchrone. Les MOSFET à canal N en silicium TPH1400CQ5 de Toshiba bénéficient d'une faible résistance drain-source à l’état passant et d'un faible courant de fuite nominal, ce qui les rend idéaux pour diverses applications de puissance et industrielles. Parmi les applications standard, citons les convertisseurs CC-CC à haut rendement, les régulateurs de tension de commutation, les commandes de moteur, les centres de données et les systèmes de base de communication.