MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed offrent de faibles résistances à l'état passant et pertes de commutation pour un rendement et une densité de puissance maximaux. Les MOSFET 650 V sont optimisés pour les applications électroniques de haute performance, notamment les alimentations de serveurs, les systèmes de charge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie, les onduleurs solaires (PV), les alimentations sans interruption et les systèmes de gestion de batterie. Par rapport au silicium, les MOSFET au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed permettent de réduire les pertes de commutation de 75 % et les pertes de conduction de ½ avec une densité de puissance 3 fois plus élevée.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Fiche technique
448En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Fiche technique
2.498En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Fiche technique
1.014En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Fiche technique
1.259En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Fiche technique
1.168En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Fiche technique
989En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Fiche technique
694En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Fiche technique
611En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Fiche technique
267En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Fiche technique
345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Fiche technique
847En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Fiche technique
1.479En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
373En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Fiche technique
1.906En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Fiche technique
1.193En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Fiche technique
394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Fiche technique
206En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Fiche technique
566En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Fiche technique
1En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Fiche technique
Non stocké
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement