Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

E4M0045075K1

Name: Wolfspeed E4M0045075K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-E4M0045075K1
Price: 8.95 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

941-E4M0045075K1

N° de fab. :

E4M0045075K1

Fab. :

Wolfspeed

Description :

SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

E4M0045075K1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Wolfspeed E4M0045075K1

En stock: 267

Stock:: 267 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,95 €	8,95 €
	5,56 €	55,60 €
	5,23 €	627,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Wolfspeed
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4LP
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	42 A
Rds On - Résistance drain-source:	45 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.8 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Wolfspeed
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	SiC MOSFETS
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

E4M0045075K1 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de qualité automobile et de série E de Wolfspeed sont des MOSFET homologués pour l’automobile, à compatibilité PPAP, à mode d’amélioration du canal N et résistants à l’humidité. Ces composants donnent de faibles pertes de commutation et un facteur de mérite élevé. Ils sont optimisés pour servir dans des entraînements de moteurs de CVC de VE, dans des chargeurs embarqués de VE et dans des convertisseurs CC-CC sous hautes tensions.

MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed offrent de faibles résistances à l'état passant et pertes de commutation pour un rendement et une densité de puissance maximaux. Les MOSFET 650 V sont optimisés pour les applications électroniques de haute performance, notamment les alimentations de serveurs, les systèmes de charge de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie, les onduleurs solaires (PV), les alimentations sans interruption et les systèmes de gestion de batterie. Par rapport au silicium, les MOSFET au carbure de silicium 650 V de Wolfspeed permettent de réduire les pertes de commutation de 75 % et les pertes de conduction de ½ avec une densité de puissance 3 fois plus élevée.

MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V

Les MOSFET discrets au carbure de silicium 750 V de Wolfspeed disposent d’une tension de rupture plus élevée, offrant une marge de conception accrue pour prendre en charge les applications client. Ces MOSFET permettent une haute densité de puissance du système avec une conception à profil mince dans le boîtier LP TO-247-4 et la technologie de montage en surface dans les options de boîtier TO-263-7 XL. Cela permet aux concepteurs de sélectionner la pièce adaptée à leur application. Les MOSFET 750 V de Wolfspeed facilitent la conversion d'énergie efficace dans divers systèmes d’alimentation. Ces systèmes comprennent des alimentations industrielles à hautes performances, des systèmes de stockage d’énergie dans les convertisseurs de véhicules électriques (EV) et des entraînements à moteur CVC EV.