MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N d'Infineon Technologies sont des dispositifs de canal N, de niveau normal, avec une résistance thermique supérieure. La série de MOSFET de puissance OptiMOS 7 80 V propose une diode de corps à récupération douce et est évaluée à 175 °C. Les MOSFET de puissance Infineon OptiMOS 7 de 80 V sont disponibles dans un boîtier PG‑TDSON‑8 et sont optimisés pour les applications d’entraînements à moteur et de redressement synchrone.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
672En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
183En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Fiche technique
5.405En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape