X2-Class IXYS MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
Fiche technique
586En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Fiche technique
239En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
Fiche technique
849En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
Fiche technique
889En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
Fiche technique
204En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Fiche technique
660En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Fiche technique
403En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-264(3)
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
Fiche technique
214En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-264(3)
Fiche technique
410En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
Fiche technique
51En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 17 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 430 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Fiche technique
213En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
Fiche technique
509En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
Fiche technique
584En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
Fiche technique
551En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
Fiche technique
356En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V X2 MOSFET boost leg in ISOPLUS i4 pak
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAC-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 160 mOhms - 40 V, 40 V 5 V 37 nC - 40 C + 125 C Enhancement ISOPLUS Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Fiche technique
120En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Fiche technique
534En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
Fiche technique
232En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-268HV
Fiche technique
315En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Fiche technique
144En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
Fiche technique
101En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-252D
Fiche technique
29En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube