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IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 7.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH34N65X2W

N° de fab. :

IXFH34N65X2W

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IXFH34N65X2W Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	100 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	540 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	18 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	52 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	38 ns

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TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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