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IXTH24N65X2

Name: IXYS IXTH24N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH24N65X2
Price: 6.67 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTH24N65X2

N° de fab. :

IXTH24N65X2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

Fiche technique:

IXTH24N65X2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	6,67 €	6,67 €
	3,86 €	38,60 €
	3,44 €	412,80 €
	3,33 €	1.698,30 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	145 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	390 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	19 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	6 g

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IXTH24N65X2 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Convertisseurs de puissance de sous-unité de chargeur hors carte

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