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NVH4L080N120SC1

Name: onsemi NVH4L080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L080N120SC1
Price: 10.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVH4L080N120SC1

N° de fab. :

NVH4L080N120SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Fiche technique:

NVH4L080N120SC1 Fiche technique

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Prix (EUR)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	170 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5.4 ns
Transconductance directe - min.:	11.3 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	4.2 ns
Série:	NVH4L080N120SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26.8 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

NVH4L080N120SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M1

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