CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Texas Instruments MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T
Fiche technique
9.345En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET #NAME?
Fiche technique
1.170En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 1.02 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel