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CSD25501F3

Name: Texas Instruments CSD25501F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25501F3
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD25501F3

N° de fab. :

CSD25501F3

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25501F3T

Fiche technique:

CSD25501F3 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,20 €	2,00 €
	0,126 €	12,60 €
	0,094 €	47,00 €
	0,083 €	83,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,069 €	207,00 €
	0,061 €	366,00 €
	0,052 €	468,00 €
	0,051 €	1.224,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD25501F3T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,20 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD25501F3T

Description :

MOSFET #NAME?

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PICOSTAR-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	260 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.05 V
Qg - Charge de grille:	1.02 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	CH
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	945 ns
Transconductance directe - min.:	3.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	428 ns
Série:	CSD25501F3
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	1154 ns
Délai d'activation standard:	474 ns
Poids de l''unité:	0,300 mg

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Fiche technique

CSD25501F3 Fiche technique

SPICE Models

CSD25501F3 PSPICE Model

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.