CSD25501F3T

Texas Instruments
595-CSD25501F3T
CSD25501F3T

Fab. :

Description :
MOSFET #NAME?

Modèle de ECAO:
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En stock: 170

Stock:
170
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
750
02/04/2026 attendu
Délai usine :
6
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,20 € 1,20 €
0,558 € 5,58 €
0,414 € 41,40 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 250)
0,414 € 103,50 €
0,329 € 164,50 €
0,304 € 304,00 €
0,29 € 725,00 €
0,287 € 1.435,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,33 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
260 mOhms
- 20 V, 20 V
1.05 V
1.02 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Configuration: Single
Temps de descente: 945 ns
Transconductance directe - min.: 3.4 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 428 ns
Série: CSD25501F3
Nombre de pièces de l'usine: 250
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 1154 ns
Délai d'activation standard: 474 ns
Poids de l''unité: 0,300 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.