FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

Les MOSFET en nitrure de gallium (GaN) 30 mΩ 650 V TP65H030G4Px de Renesas Electronics sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL. Ces FET GaN utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV qui combine un HEMT GaN haute tension de pointe avec un MOSFET en silicium basse tension pour apporter des performances supérieures, un pilotage standard, une adoption facile et de la fiabilité.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Fiche technique
351En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Fiche technique
1.428En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Fiche technique
798En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN