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Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
03.20.2026
03.20.2026
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07.01.2025
07.01.2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
Renesas Electronics Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS
03.15.2024
03.15.2024
Dispositif à semi-conducteur à nitrure de gallium (GaN) de 50 mΩ normalement bloqué, disponible dans un boîtier TO-247 à 4 broches.
Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT
02.22.2024
02.22.2024
72 mΩ RDS(on)dans un boîtier TOLT à montage en surface et refroidissement par le haut conforme à la norme JEDEC (MO-332).
Renesas Electronics FET GaN SuperGaN® de 650 V TP65H070G4PS
06.07.2023
06.07.2023
Un dispositif 650 V normalement éteint de 70 mΩ offrant une qualité et des performances supérieures.
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Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
03.20.2026
03.20.2026
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Infineon Technologies Commutateurs bidirectionnels CoolGaN moyenne tension™
03.17.2026
03.17.2026
Ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour servir de commutateurs de déconnexion de batterie dans diverses applications.
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L
03.09.2026
03.09.2026
Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03.05.2026
03.05.2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02.26.2026
02.26.2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02.26.2026
02.26.2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01.20.2026
01.20.2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01.19.2026
01.19.2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01.19.2026
01.19.2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12.04.2025
12.04.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11.07.2025
11.07.2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10.28.2025
10.28.2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08.18.2025
08.18.2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07.03.2025
07.03.2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07.03.2025
07.03.2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07.01.2025
07.01.2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
05.02.2025
05.02.2025
Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
04.14.2025
04.14.2025
HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.
Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3
04.10.2025
04.10.2025
conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance.
ROHM Semiconductor Les HEMT GaN à mode d'amélioration de 650 V GNP2x
01.10.2025
01.10.2025
Conçus pour des applications de conversion d'énergie haute performance.
Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
12.20.2024
12.20.2024
Présente une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie.
MACOM GaN on SiC Transistors
11.26.2024
11.26.2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.
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