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TP65H030G4PRS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PRS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PRS-TR
Price: 8.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H030G4PRS-TR

N° de fab. :

TP65H030G4PRS-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TP65H030G4PRS-TR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1300)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,56 €	8,56 €
	5,90 €	59,00 €
	4,82 €	482,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1300)
	4,10 €	5.330,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TOLT-16
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	24.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.2 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	FETs
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.4 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1300
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	GaN FET
Délai de désactivation type:	63.6 ns
Délai d'activation standard:	26.4 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px

Les MOSFET en nitrure de gallium (GaN) 30 mΩ 650 V TP65H030G4Px de Renesas Electronics sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL. Ces FET GaN utilisent la plateforme SuperGaN^® Gen IV qui combine un HEMT GaN haute tension de pointe avec un MOSFET en silicium basse tension pour apporter des performances supérieures, un pilotage standard, une adoption facile et de la fiabilité.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.