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IXYK140N120A4

Name: IXYS IXYK140N120A4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYK140N120A4
Price: 37.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXYK140N120A4

N° de fab. :

IXYK140N120A4

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs TO264 1200V 140A GENX4

Fiche technique:

IXYK140N120A4 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	37,82 €	37,82 €
	27,22 €	272,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-264-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.7 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	480 A
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 kW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	Trench
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	480 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

IGBT à tranchée 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™

Les IGBT à tranchée IXYS 650 V à 1 200 V XPT™ GenX4™ sont développées à l'aide d'une technologie propriétaire à plaquette mince XPT et d'un processus de 4e génération (GenX4™) de tranchée IGBT à la pointe de la technologie. Ces transistors bipolaires à portes isolées présentent une résistance thermique réduite, de faibles pertes énergie, une commutation rapide, un faible courant résiduel et de hautes densités de courant. Ces composants présentent une robustesse exceptionnelle pendant la commutation et en cas de court-circuit.

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Les IGBT IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ d'IXYS sont des IGBT à tranchée de 4e génération dotés de la technologie XPT à couche mince. Ces transistors IGBT à V_SAT ultra-faibles prennent en charge des fréquences de commutation atteignant 5 kHz et sont optimisés pour de faibles pertes de conduction. Les IGBT IXYxN120A offrent des avantages tels qu'une densité de puissance élevée, de faibles exigences de commande de grille, et ont une température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C. Ces transistors sont délivrés dans des boîtiers TO-247 et TO-269HV, chacun ayant une tension de 1 200 V et un courant de 55 A ou 85 A. Les IGBT IXYxN120A sont utilisés dans des applications telles que les onduleurs de puissance, les commandes de moteurs, les circuits PFC, les chargeurs de batteries, les machines de soudage, les ballasts de lampes et les circuits de protection du courant d'appel.

650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).