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IXYA20N65C3D1

Name: IXYS IXYA20N65C3D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA20N65C3D1
Price: 3.7 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXYA20N65C3D1

N° de fab. :

IXYA20N65C3D1

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2

Fiche technique:

IXYA20N65C3D1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
Technologie:	Si
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Style de montage:	SMD/SMT
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.27 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	50 A
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	105 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

IXYA20N65C3D1 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

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