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IXGF32N170

Name: IXYS IXGF32N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXGF32N170
Price: 22.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXGF32N170

N° de fab. :

IXGF32N170

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

Fiche technique:

IXGF32N170 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	ISOPLUS i4-PAC-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.7 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	3.5 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	44 A
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXGF32N170
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	200 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXGF32N170 Fiche technique

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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