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Vishay / Siliconix MOSFET 175°C automobile 60 V (D-S) à canal N SQS414CENW

Les MOSFET 175°C 60 V (D-S) à canal N automobile SQS414CENW de Vishay/Siliconix délivrent la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® dans un boîtier unique PowerPAK® 1212-8 W. Le SQS414CENW homologué AEC-Q101 fournit une tension drain-source de 60 V et un courant de drain continu de 18 A. Les MOSFET 175°C 60 V (D-S) à canal N automobile SQS414CENW de Vishay/Siliconix sont conçus pour les applications automobiles.

Caractéristiques

  • MOSFET de puissance TrenchFET®
  • Qualifié AEC-Q101
  • Testé à 100 % pour Rg et UIS

Schéma de principe

Schéma du circuit d'application - Vishay / Siliconix MOSFET 175°C automobile 60 V (D-S) à canal N SQS414CENW

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Publié le: 2021-03-11 | Mis à jour le: 2023-12-26