Vishay MOSFET PowerPAK® 1212
Les MOSFET POWERPAK ® 1212 de Vishay sont idéaux pour les applications de commutation et disposent d’une résistance à l’état passant d’environ 1 mΩ et peuvent supporter jusqu’à 85 A. Le POWERPAK 1212 de Vishay présente une technologie de boîtier pour atténuer le risque de dégradation des matrices haute performance. Ce boîtier offre une impédance thermique ultra-faible dans une conception compacte, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint.
Caractéristiques
- Idéal pour les applications de commutation
- Résistance à l’état passant d’environ 1 mΩ, peut supporter jusqu’à 85 A
- Impédance thermique ultra-faible dans une conception compacte
- Technologie de conditionnement pour atténuer le risque de dégradation des matrices haute performance
- Idéal pour les applications à espace restreint
Applications
- Applications de commutation
- Applications à espace restreint
Vidéos
Performance
Produits présentés
Vishay / Siliconix MOSFET 70 V à canal N (D-S) SiS176LDN
Utilise la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV dans un boîtier unique PowerPAK® 1212-8.
Vishay Semiconductors TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N de gén. IV TrenchFET
Procure une faible résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,35 mΩ à 4,5 V.
Vishay / Siliconix MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS
Augmente le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) RDS x Qg très faible.
Vishay / Siliconix MOSFET TrenchFET®
Meilleure résistance à l'état passant de l'industrie dans une variété de configurations de boîtiers.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs
Features low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time.
Vishay / Siliconix MOSFET de puissance automobiles Vishay Siliconix SQ
Vishay / Siliconix MOSFET 175°C automobile 60 V (D-S) à canal N SQS414CENW
Délivre la technologie MOSFET de puissance TrenchFET® dans un boîtier unique PowerPAK® 1212-8 W.
Vishay / Siliconix MOSFET à canal N 30 V SiSD5300DN
MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V utilisant la technologie de basculement de source qui améliore les performances thermiques.