Vishay MOSFET de puissance SiHH070N60EF
Le MOSFET de puissance SiHH070N60EF de Vishay dispose d'une technologie série E de 4ème génération, d'un faible facteur de mérite (FOM) et d'une faible capacité efficace. Ce MOSFET de puissance est une énergie nominale d'avalanche (UIS) et réduit les pertes de commutation et de conduction. Les applications standard incluent les alimentations de serveurs et de télécommunications, les alimentations à découpage (SMPS), les alimentations à correction du facteur de puissance (PFC), les entraînements de moteurs, les chargeurs de batterie et la soudure.
Caractéristiques
- Technologie série E de 4ème génération
- Facteur de mérite faible facteur de mérite (FOM) Ron x Qg
- Faible capacité effective (Co(er))
- Pertes de commutation et de conducteur réduites
- Conforme Avalanche Energy (UIS)
Applications
- Alimentations de serveurs et d'équipements de télécommunication
- Sources d'alimentation en mode commutation (SMPS)
- Alimentations à Correction du facteur de puissance (PFC)
- Éclairage :
- Décharge haute intensité (HID)
- Éclairage fluorescent à ballast
- Industriel :
- Soudage
- Chauffage par induction
- Commandes de moteurs
- Chargeurs de batteries
- Solaires (inverseurs photovoltaïques)
Produits associés
Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs
MOSFETs with low ON-Resistance and Gate Charge, for reduced conduction and switching losses.
Publié le: 2020-12-28
| Mis à jour le: 2025-01-07