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SIHH070N60EF-T1GE3

Name: Vishay SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH070N60EFT1GE3
Price: 7.29 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIHH070N60EFT1GE3

N° de fab. :

SIHH070N60EF-T1GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Fiche technique:

SIHH070N60EF-T1GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	7,29 €	7,29 €
	4,46 €	44,60 €
	3,96 €	396,00 €
	3,94 €	1.970,00 €
	3,93 €	3.930,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,38 €	10.140,00 €
6.000	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-8 x 8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	71 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	202 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	10.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	79 ns
Série:	SIHH EF
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Poids de l''unité:	50 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

MOSFET de puissance SiHH070N60EF

Le MOSFET de puissance SiHH070N60EF de Vishay dispose d'une technologie série E de 4^ème génération, d'un faible facteur de mérite (FOM) et d'une faible capacité efficace. Ce MOSFET de puissance est une énergie nominale d'avalanche (UIS) et réduit les pertes de commutation et de conduction. Les applications standard incluent les alimentations de serveurs et de télécommunications, les alimentations à découpage (SMPS), les alimentations à correction du facteur de puissance (PFC), les entraînements de moteurs, les chargeurs de batterie et la soudure.