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SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SISD5300DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISD5300DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 62A

Fiche technique:

SISD5300DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,06 €	2,06 €
	1,32 €	13,20 €
	0,912 €	91,20 €
	0,724 €	362,00 €
	0,699 €	699,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK 1212-F-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	198 A
Rds On - Résistance drain-source:	870 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	57 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Transconductance directe - min.:	162 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	90 ns
Série:	SISD
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	26 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N 30 V SiSD5300DN

Le MOSFET à canal N 30 V SiSD5300DN de Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V utilisant une technologie de basculement de source qui améliore les performances thermiques. Fonctionnant dans une plage de température de jonction de -55°C à +150°C, le SiSD5300DN dispose d’une résistance drain-source et d’un facteur de mérite (FOM) de charge de grille très faibles. Les applications comprennent les convertisseurs CC/CC, le redressement synchrone, la gestion de la batterie, les joints toriques et les commutateurs de charge.

MOSFET PowerPAK® 1212

Les MOSFET POWERPAK ® 1212 de Vishay sont idéaux pour les applications de commutation et disposent d’une résistance à l’état passant d’environ 1 mΩ et peuvent supporter jusqu’à 85 A. Le POWERPAK 1212 de Vishay présente une technologie de boîtier pour atténuer le risque de dégradation des matrices haute performance. Ce boîtier offre une impédance thermique ultra-faible dans une conception compacte, ce qui le rend idéal pour les applications à espace restreint.