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Toshiba MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Les MOSFET DTMOSVI haute tension en boîtier TOLL de Toshiba disposent d’une faible résistance drain-source en marche (Rdson) et de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Cela les rend idéaux pour les applications d’alimentation à commutation. Cette dernière génération DTMOSVI offre le plus faible facteur de mérite RDS (ON) xQgd et est logée dans le nouveau boîtier TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes en allumage et hors tension.

Caractéristiques

  • Réduction du COSS
  • Application de la toute dernière technologie de procédé procédé épitaxial unique
  • Large gamme de résistances à l’état passant et d’options de boîtier
  • Facteur de mérite le plus faible (RDS (ON) x QGD) proposé par DTMOS VI
  • RDS (ON) amélioré par rapport au compromis de surface
  • Résistance en marche stable à des températures plus élevées
  • DTMOS VI pour une commutation à haut rendement dans les alimentations
  • Coûts réduits du système thermique
  • Réduction des coûts de défaillance sur le terrain
  • Coûts des composants passifs réduits
  • Conception facile pour une mise sur le marché et un lancement de produits plus rapides
  • Prêt à soutenir les marchés à gros volumes avec des prix compétitifs
  • Permet une densité de puissance plus élevée

Applications

  • Centre de données, onduleur PV, ASI
  • Alimentation en mode commuté
  • Éclairage
  • Contrôle du facteur de puissance
  • Applications industrielles

Présentation

Toshiba MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

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650V power MOSFET featuring a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical).

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Comparaisons des chiffres de mérite

Toshiba MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Ressources supplémentaires

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Numéro de pièce Fiche technique Description Rds On - Résistance drain-source Id - Courant continu de fuite Qg - Charge de grille Pd - Dissipation d’énergie
TK055U60Z1,RQ TK055U60Z1,RQ Fiche technique MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm 55 mOhms 40 A 65 nC 270 W
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Fiche technique MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 149 mOhms 15 A 25 nC 130 W
TK110U65Z,RQ TK110U65Z,RQ Fiche technique MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 86 mOhms 24 A 40 nC 190 W
TK090U65Z,RQ TK090U65Z,RQ Fiche technique MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 70 mOhms 30 A 47 nC 230 W
TK065U65Z,RQ TK065U65Z,RQ Fiche technique MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 51 mOhms 38 A 62 nC 270 W
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ Fiche technique MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 122 mOhms 18 A 29 nC 150 W
Publié le: 2021-02-19 | Mis à jour le: 2022-03-11