MOSFET DTMOS VI à haute tension en boîtier TOLL

Les MOSFET DTMOSVI haute tension en boîtier TOLL de Toshiba disposent d’une faible résistance drain-source en marche (Rdson) et de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Cela les rend idéaux pour les applications d’alimentation à commutation. Cette dernière génération DTMOSVI offre le plus faible facteur de mérite RDS (ON) xQgd et est logée dans le nouveau boîtier TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) avec une connexion de source Kelvin pour réduire les pertes en allumage et hors tension.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1.058En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2.000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3.792En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1.232En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6.000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 2.000
Mult. : 2.000
Bobine: 2.000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel