Retour à Toshiba

Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal P -40 V pour les applications automobiles. Ils disposent d'une tension de commande de grille de -4,5 V par rapport à -6 V pour les produits conventionnels en boîtier DPAK+. Cela permet d'utiliser les systèmes même lorsque la tension de la batterie/pile chute. Les MOSFET disposent d'une faible résistance à l'état passant.

Caractéristiques

  • Faible résistance en état de fonctionnement :
    • RDS(ON) = 1,45 mΩ (max) à VGS = -10 V (TJ200F04M3L)
    • RDS(ON) = 2,4 mΩ (max) à VGS = -10 V (XPH3R114MC)
    • RDS(ON) = 3,6 mΩ (std) à VGS = -10 V (XPH4R714MC)
    • RDS(ON) = 4,0 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ80S04M3L)
    • RDS(ON) = 4,3 mΩ (max) à VGS = -10 V (TJ90S04M3L)
    • RDS(ON) = 4,8 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ60S04M3L)
    • RDS(ON) = 7,0 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 7,4 mΩ (std) à VGS = -10 V (XPN9R614MC)
    • RDS(ON) = 8,6 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ60S06M3L)
    • RDS(ON) = 10,3 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 16,8 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ30S06M3L)
    • RDS(ON) = 17 mΩ (max) à VGS = -10 V (TJ20S04M3L)
    • RDS(ON) = 33,8 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ10S04M3L)
    • RDS(ON) = 38,5 mΩ (max) à VGS = -10 V (TJ15S06M3L)
    • RDS(ON) = 80 mΩ (std) à VGS = -10 V (TJ8S06M3L)
  • Faible tension de commande de grille (-4,5 V)
  • Plage de tension de seuil de grille étroite : Vth = -1,0 à -2,0 V (étroite : plage de 1 V)
  • Faible résistance thermique : Rth(ch-c) = 0,83 °C/W (max)
  • Température nominale du canal : tch =175 °C
  • Faible bruit de commutation

Applications

  • Commutateurs de charge (remplacement de relais mécaniques)
  • Commandes de moteurs

Exemple de circuit

Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVI automobiles

Produits associés

Toshiba MOSFET SSMx à canal N/P automobile

Couvrent diverses applications automobiles dans les systèmes de batteries de 12 V à 48 V.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET SSMx à canal N/P automobile View Productslié à Toshiba MOSFET SSMx à canal N/P automobile

Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles

MOSFET à canal N en silicium homologués AEC-Q101 offrant une faible résistance drain-source à l'état passant.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles View Productslié à Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles

Toshiba MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles

MOSFET de puissance à canal N 40 V idéaux pour les applications automobiles.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles View Productslié à Toshiba MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles

Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles

MOSFET de puissance à canal N 100 V idéaux pour les applications automobiles.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles View Productslié à Toshiba MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles

Toshiba MOSFET U-MOSX-H pour l'automobile

Homologués AEC-Q101 avec une faible résistance drain-source à l'état passant.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET U-MOSX-H pour l'automobile View Productslié à Toshiba MOSFET U-MOSX-H pour l'automobile

Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H automobiles XPN12006NC

MOSFET de puissance à canal N au silicium qui est homologué AEC-Q101 dans un boîtier TSON compact et fin.

Learn Moreà propos de Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H automobiles XPN12006NC View Productslié à Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H automobiles XPN12006NC
View Results ( 18 ) Page
Numéro de pièce Fiche technique Description
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ TJ40S04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Fiche technique MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Fiche technique MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Publié le: 2020-04-29 | Mis à jour le: 2025-08-19