MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET à canal N en silicium homologués AEC-Q101. Les MOSFET de puissance U-MOSVII-H automobiles de Toshiba offrent une faible résistance drain-source à l'état passant et sont idéaux pour une utilisation dans les applications de commutation à haut débit, ainsi que les convertisseurs CC-CC automobiles et les commutateurs de gestion d'alimentation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement

Toshiba MOSFET SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
Fiche technique
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2.723En stock
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Min. : 1
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Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
Fiche technique
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5.400En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
Fiche technique
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2.212En stock
3.00016/02/2026 attendu
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Min. : 1
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Bobine: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
Fiche technique
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5.951En stock
3.00017/02/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
Fiche technique
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2.554En stock
3.00020/02/2026 attendu
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Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
Fiche technique
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19.258En stock
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Bobine: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
Fiche technique
5.99815/06/2026 attendu
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Min. : 1
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Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 11 Semaines
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Bobine: 3.000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel