STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 STP80N600K6
Le MOSFET de puissance STP80N600K6 MDmesh K6 de STMicroelectronics offre une solution d'alimentation à canal N et très haute tension utilisant la technologie MDmesh K6 ultime. Cette technologie K6 est basée sur 20 ans d'expérience de STMicroelectronics dans la technologie de super jonction. Le résultat de cette technologie permet au STP80N600K6 de STMicro d'offrir la meilleure résistance à l'état passant par rapport à la surface et à la charge de grille de sa catégorie pour les applications exigeant une densité de puissance supérieure et un rendement élevé.
Caractéristiques
- Meilleur RDS(on) mondial x zone
- Meilleur FOM (figure de mérite) au monde
- Charge de grille ultra-faible
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Protection par diode Zener
Applications
- Convertisseur Flyback
- Adaptateurs pour tablettes, ultraportables et AIO
- Éclairage LED
Caractéristiques techniques
- 800 V VDS
- 600 mΩ RDS(on) maximum
- 7 A ID
Application standard
MOSFET associés
STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N
800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
Publié le: 2023-05-01
| Mis à jour le: 2024-06-25