Qorvo Carte d'évaluation QPD0007
La carte d'évaluation QPD0007 de Qorvo a été conçue pour permettre d'évaluer les caractéristiques et fonctionnalités des transistors RF à étage unique au nitrure de gallium (GaN) référence QPD0007. Ces transistors RF sont des transistors SiC à haute mobilité d’électrons (HEMT) dans un boîtier DFN qui fonctionnent sur une plage de fréquence du CC à 5 GHz. Les transistors RF QPD0005 de Qorvo peuvent fournir une puissance de sortie P3dB de 20 W en fonctionnement +48 V. Les applications standard incluent les WCDMA/LTE, les stations de base des macrocellules, les stations de base des microcellules, les applications générales, les petites cellules, les antennes actives et les MIMO massifs 5G.
Applications
- Applications WCDMA et LTE
- Station de base de macrocellule
- Stations de base de microcellules
- Petites cellules
- Antennes actives
- Équipements MIMO massifs pour la 5 G
- Applications à usage général
Transistor RF associé
Qorvo Transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0007
Transistors sans correspondance à un seul étage capables de fournir une puissance de sortie P3dB de 20 W en fonctionnement +48 V.
Produits associés
Qorvo Carte d'évaluation QPD0005
Conçue pour évaluer les transistors RF SiC à simple étage non adaptés au GaN QPD0005.
Publié le: 2020-11-24
| Mis à jour le: 2024-08-27