Transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0007

Les transistors RF au GaN QPD0007 de Qorvo sont des transistors discrets à simple voie au GaN sur SiC à haute mobilité d’électrons (HEMT) dans un boîtier DFN.  Ces transistors RF de Qorvo sont des transistors à un seul étage, sans correspondance, capables de délivrer une puissance de sortie P3dB de 20 W en fonctionnement +48 V. Les transistors QPD0007 fonctionnent sur la plage de fréquence du CC à 5 GHz et offrent un rendement de drain de 73 % à 3,5 GHz.  Les applications standard incluent les WCDMA/LTE, les stations de base des macrocellules, les stations de base des microcellules, les applications générales, les petites cellules, les antennes actives et les MIMO massifs 5G.