Qorvo Transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0005

Les transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0005 de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d’électrons (HEMT) au GaN sur carbure de silicium (SiC) dans un boîtier DFN surmoulé en plastique. Ces transistors RF fonctionnent sur une plage de fréquence de 2,5 GHz à 5 GHz. Les transistors RF au nitrure de gallium (GaN) QPD0005 de Qorvo sont des transistors à simple étage, sans correspondance, capables de fournir un P_SAT de 8,7 W en fonctionnement 48 V. Ces transistors sont fournis en boîtier de 4,5 mm x 4,0 mm et sont conformes à la directive RoHS. Les applications comprennent les WCDMA/LTE, les stations de base des macrocellules, les stations de base des microcellules, les petites cellules, les antennes actives, les MIMO massifs 5G et les applications à usage général.