onsemi Module MOSFET SiC complet NXH40B120MNQ1

Le module de MOSFET entièrement au SiC onsemi  NXH40B120MNQ1 contient un double étage d'amplification entièrement au SiC composé de trois MOSFET de 40 m Ω/ 1 200 V au SiC et de trois diodes de 40 A/1 200 V au SiC. Ce module MOSFET au SiC comporte trois redresseurs supplémentaires 50 A/1 200 V en dérivation pour la limite de courant d'appel. Le module NXH40B120MNQ1 dispose d'une faible récupération inverse, de diodes SiC à commutation rapide, d'une disposition à faible induction, de broches soudables, d'une thermistance, sans plomb, sans halogène/sans BFR et est conforme à la directive RoHS. Ce module MOSFET SiC est idéalement utilisé dans les onduleurs solaires et les alimentations ininterrompues.